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Datasheet下载- 型号： BUK765R3-40E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK765R3-40E,118产品简介：
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BUK765R3-40E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 5.3 mΩ @ VGS = 10 V，典型值；≤ 7.3 mΩ @ VGS = 4.5 V）、40 V 耐压、连续漏极电流高达 80 A（Tc = 25°C）等特性，采用 TO-220AB 封装，带绝缘底板，适合高功率密度设计。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的座椅加热、车窗升降、雨刮器、风扇/水泵驱动等中高电流负载开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持 12 V/24 V 车载系统。 ✅ 工业电源与电机控制：DC-DC 二次侧同步整流、电动工具/家电的无刷直流（BLDC）电机相位驱动、继电器/电磁阀替代开关。 ✅ 电源管理：服务器/通信设备的热插拔保护、OR-ing 二极管替代、负载开关（如主板电源域上电时序控制）。 ✅ 消费类设备：大功率 LED 驱动、电池供电设备（如便携式储能）的主电源通断控制。 其逻辑电平驱动能力（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V）可直接由 MCU GPIO 或低压栅极驱动器控制，简化电路设计；内置体二极管具备较强反向恢复能力，适用于续流场景。注意需配合合理散热设计（如加装散热片）以保障持续大电流工作可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK765R3-40E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2772pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9884-1 |
| 功率-最大值 | 137W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
