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BUK764R2-80E,118产品简介:
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BUK764R2-80E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 4.2 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、80 V 耐压、连续漏极电流达 120 A(Tc = 25°C),采用 TO-220AB 封装,具备良好散热能力。 其主要应用场景包括: ✅ 汽车电子:广泛用于车身控制模块(BCM)、车灯驱动(如 LED 大灯/尾灯开关)、雨刮电机、风扇控制、继电器/保险丝替代等,符合 AEC-Q101 可靠性认证,满足车载严苛环境要求; ✅ 工业电源与负载开关:适用于 DC-DC 电源次级侧同步整流、高效率开关电源输出端、热插拔保护电路及大电流负载开关; ✅ 电动工具与家电:用于电池供电设备(如无绳电钻、割草机)的电机驱动 H 桥下桥臂,以及空调压缩机、水泵等中功率电机控制; ✅ 服务器与通信设备:作为 12 V/48 V 电源系统中的 OR-ing 管、冗余电源切换开关或板级电源管理单元(PMU)中的主控开关。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1–2.5 V),可直接由 MCU 或 FPGA IO 口驱动,简化外围电路;内置 ESD 保护和雪崩耐量(UIS),提升系统鲁棒性。综合其高效率、高可靠性与车规级资质,特别适合对能效、安全性和长期稳定性要求较高的中高功率直流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK764R2-80E,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10426pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 136nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10244-6 |
| 功率-最大值 | 324W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |