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  • 型号: BUK764R2-80E,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BUK764R2-80E,118产品简介:

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BUK764R2-80E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单管),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 4.2 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、80 V 耐压、连续漏极电流达 120 A(Tc = 25°C),采用 TO-220AB 封装,具备良好散热能力。

其主要应用场景包括:  
✅ 汽车电子:广泛用于车身控制模块(BCM)、车灯驱动(如 LED 大灯/尾灯开关)、雨刮电机、风扇控制、继电器/保险丝替代等,符合 AEC-Q101 可靠性认证,满足车载严苛环境要求;  
✅ 工业电源与负载开关:适用于 DC-DC 电源次级侧同步整流、高效率开关电源输出端、热插拔保护电路及大电流负载开关;  
✅ 电动工具与家电:用于电池供电设备(如无绳电钻、割草机)的电机驱动 H 桥下桥臂,以及空调压缩机、水泵等中功率电机控制;  
✅ 服务器与通信设备:作为 12 V/48 V 电源系统中的 OR-ing 管、冗余电源切换开关或板级电源管理单元(PMU)中的主控开关。

该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1–2.5 V),可直接由 MCU 或 FPGA IO 口驱动,简化外围电路;内置 ESD 保护和雪崩耐量(UIS),提升系统鲁棒性。综合其高效率、高可靠性与车规级资质,特别适合对能效、安全性和长期稳定性要求较高的中高功率直流开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK764R2-80E,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10426pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

136nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-10244-6

功率-最大值

324W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

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