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Datasheet下载- 型号： BUK761R8-30C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK761R8-30C,118产品简介：
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BUK761R8-30C,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 120 A）和 30 V 耐压等特点。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机驱动、LED 大灯调光与开关、雨刮器/风扇控制等 12 V 系统中需大电流、高可靠性的低压开关场合；符合 AEC-Q101 汽车级认证，具备抗振动、宽温（–55°C 至 +175°C 结温）及高鲁棒性。 - 工业电源与负载开关：适用于 DC-DC 二次侧同步整流、热插拔保护电路、电池管理系统（BMS）中的充放电主回路开关，以及 PLC 输出模块、继电器替代方案。 - 消费类与计算设备：在服务器/工作站的 12 V VRM 供电、高端主板的 CPU/GPU 供电相位开关、固态硬盘（SSD）电源管理等场景中，提供高效、低损耗的功率切换能力。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5 V 即可充分导通），兼容微控制器直接驱动，简化外围电路设计；内置 ESD 保护与雪崩耐量（UIS），提升系统可靠性。综合来看，其核心价值在于在 30 V/百安级低压大电流应用中实现高效率、高集成度与车规级可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 30V D2PAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 312A 3pin(2+Tab) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 312 A |
| Id-连续漏极电流 | 312 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK761R8-30C,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK761R8-30C,118 |
| Pd-PowerDissipation | 333 W |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| Qg-GateCharge | 150 nC |
| Qg-栅极电荷 | 150 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.4 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 134 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10349pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5854-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 186 ns |
| 功率-最大值 | 333W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
