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- 型号： BUK7609-55A,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BUK7609-55A,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7609-55A,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BUK7609-55A,118价格参考以及NXP SemiconductorsBUK7609-55A,118封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BUK7609-55A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BUK7609-55A,118详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7609-55A,118 是恩智浦（NXP）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 14.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高雪崩耐量及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动（如LED前照灯、尾灯调光）、雨刮电机、座椅/车窗升降电机等12V车载电源系统，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准； - 工业控制：适用于DC-DC电源次级同步整流、PLC数字输出驱动、继电器/电磁阀替代开关、电机启停与PWM调速电路； - 电源管理：在适配器、UPS、电池管理系统（BMS）中作主功率开关或负载开关，支持高效热管理； - 消费类设备：用于大电流便携式设备（如电动工具、扫地机器人）的电池保护与功率切换。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 1–2.5 V），可直接由MCU GPIO控制，简化驱动设计；内置ESD保护与雪崩额定能力（EAS = 350 mJ），提升系统鲁棒性。需注意PCB布局散热及栅极驱动稳定性，建议配合TVS和RC缓冲网络以抑制电压尖峰。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7609-55A,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3271pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 0V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9646-6 |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
