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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK753R4-30B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK753R4-30B,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK753R4-30B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK753R4-30B,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK753R4-30B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK753R4-30B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK753R4-30B,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用TO-220AB封装。其关键参数包括：30V漏源电压（VDS）、最大连续漏极电流75A（Tc=25°C）、极低导通电阻RDS(on)典型值仅3.4mΩ（VGS=10V），且支持4.5V逻辑电平驱动，具备快速开关特性与强雪崩耐受能力。 主要应用场景包括： 1. 汽车电子：广泛用于车身控制模块（如车灯驱动、雨刮电机、座椅调节、风扇控制等），满足AEC-Q101车规级可靠性要求； 2. 工业电源与电机驱动：适用于DC-DC转换器、电动工具、泵/压缩机驱动等中高功率开关场景，凭借低RDS(on)显著降低导通损耗，提升能效； 3. 电池管理系统（BMS）：作为主回路或充放电保护开关，支持大电流通断与过流保护； 4. 负载开关与电源分配：在服务器电源、通信设备及智能家电中实现高效、可靠的电源通断控制。 该器件集成ESD保护，热性能优异（RthJC≈0.65K/W），适合紧凑型散热设计。需注意PCB布局时加强散热焊盘设计，并合理选配栅极驱动电阻以抑制振铃、优化EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 30V TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK753R4-30B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4951pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6624 |
| 功率-最大值 | 255W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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