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Datasheet下载- 型号： BUK6E3R2-55C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK6E3R2-55C,127产品简介：
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BUK6E3R2-55C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A，脉冲）、55 V 耐压及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机驱动、LED 前照灯/尾灯调光与开关、雨刮器与风扇控制等 12 V/24 V 系统中，满足 AEC-Q101 可靠性认证，具备抗浪涌、耐高温（Tj ≤ 175°C）和高 EMC 稳定性。 - 工业电源与负载开关：适用于 DC-DC 二次侧同步整流、热插拔保护电路、可编程电源输出级、PLC 数字输出模块及固态继电器（SSR），支持高效、低功耗通断控制。 - 电动工具与电池供电设备：在无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥驱动中作为功率开关，配合栅极驱动器实现 PWM 控制；亦用于锂电池保护板、电动自行车控制器等对导通损耗敏感的场合。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V），可直接由 MCU 或 FPGA 驱动，简化外围电路；LFPAK 封装提供优异的热性能与 PCB 散热能力，适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK6E3R2-55C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 258nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7505-5 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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