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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK6E2R3-40C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6E2R3-40C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6E2R3-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6E2R3-40C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6E2R3-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6E2R3-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6E2R3-40C,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.3 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID连续达120 A）及优良热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、智能灯控（如LED大灯驱动/调光）、雨刷电机、座椅调节、车窗升降等12V/24V直流负载开关；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持严苛车载环境。 - 工业电源与电机驱动：适用于DC-DC转换器（如同步整流）、电动工具、小型BLDC电机控制器、继电器替代方案及PLC输出级，凭借低RDS(on)和快速开关特性提升能效与响应速度。 - 高可靠性电源管理：在服务器电源、通信设备的热插拔电路、电池保护板（如40V系统过流/短路保护）中用作高效功率开关。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5V即可充分导通），兼容微控制器直接驱动，简化外围电路设计；LFPAK56封装兼具小尺寸与优异散热性，适合紧凑型高功率密度应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK6E2R3-40C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7504-5 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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