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  • 型号: BUK6E2R3-40C,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6E2R3-40C,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6E2R3-40C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6E2R3-40C,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK6E2R3-40C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK6E2R3-40C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH TRENCH I2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BUK6E2R3-40C,127

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

15100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

260nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

568-7504-5
934064472127
BUK6E2R3-40C,127-ND
BUK6E2R340C127

功率-最大值

306W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tmb)

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