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Datasheet下载- 型号： BUK6C3R3-75C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK6C3R3-75C,118产品简介：
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BUK6C3R3-75C,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 3.3 mΩ @ VGS = 10 V）、75 V耐压、连续漏极电流高达120 A（Tc = 25°C）等特性。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、LED前照灯/尾灯驱动、雨刮电机、车窗升降、座椅调节等12 V/24 V车载电源系统，符合AEC-Q101可靠性标准； - 工业电源与负载开关：适用于高效率DC-DC转换器次级侧同步整流、电源管理单元（PMU）中的热插拔保护、智能配电开关及固态继电器（SSR）； - 电动工具与电池供电设备：凭借低RDS(on)和优异的开关性能，适用于无刷直流（BLDC）电机驱动的H桥功率级、电动螺丝刀、割草机等便携式设备的高效功率开关； - 服务器与通信电源：用于48 V输入的POL（Point-of-Load）转换器、VRM模块中作为高电流同步整流管或负载开关。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)典型值1.6 V），可直接由MCU或驱动IC控制，配合LFPAK封装的低热阻（RthJC ≈ 0.9 K/W）与高功率密度，特别适合空间受限、散热要求严苛的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 181A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK6C3R3-75C,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 253nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9503-1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 181A （Tc） |
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