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Datasheet下载- 型号： BUK6C2R1-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK6C2R1-55C,118产品简介：
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BUK6C2R1-55C,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 2.1 mΩ @ Vgs = 10 V，4.5 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、高电流能力（ID = 100 A，脉冲可达 320 A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源管理，如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（LED 前照灯、尾灯开关）、雨刮电机、座椅/车窗电机控制、DC-DC 转换器（如 12V→5V/3.3V 降压）等，符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持严苛车载环境。 - 工业电源与电机驱动：适用于高效率开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的同步整流、PLC 输出驱动、小型直流无刷（BLDC）电机控制器中的功率级开关。 - 消费类与计算设备：用于笔记本电脑/平板电脑的电池保护电路、热插拔（Hot-swap）控制、负载开关（Load Switch）及 USB PD 供电路径管理，得益于其低栅极电荷（Qg ≈ 57 nC）和快速开关特性，可降低开关损耗。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容 3.3V/5V MCU 直接驱动），简化驱动设计；内置 ESD 保护，增强系统鲁棒性。综上，其核心价值在于在中高压（55V）、大电流、高可靠性场景下实现高效、紧凑、稳健的功率开关功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK6C2R1-55C,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 253nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9502-1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 228A （Tc） |
