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- 型号： BUK664R6-40C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK664R6-40C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK664R6-40C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK664R6-40C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK664R6-40C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK664R6-40C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的BUK664R6-40C,118是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-429（D2PAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅4.6 mΩ @ VGS = 10 V，5.8 mΩ @ 4.5 V）、40 V额定漏源电压及高达120 A脉冲电流能力。其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.1 V）使其可直接由3.3 V或5 V微控制器IO口驱动，无需额外驱动电路。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电机控制（如车窗升降、座椅调节、风扇驱动）、LED前照灯/尾灯调光与开关、DC-DC转换器（如12 V→5 V/3.3 V电源模块）； ✅ 工业控制：PLC输出级开关、继电器替代、步进/直流电机H桥驱动中的高侧或低侧开关； ✅ 电源管理：高效率同步整流、负载开关（如USB供电保护、热插拔电路）、电池保护板中的充放电主控开关； ✅ 消费电子：大功率便携设备（如电动工具、无人机电调模块）中的功率开关。 该器件通过AEC-Q101认证，具备高可靠性、强雪崩耐量（UIS）和优异的热性能，适用于严苛环境下的中高功率开关应用。其低RDS(on)显著降低导通损耗，提升系统能效与散热表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK664R6-40C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 88nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-7005-1 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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