图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK662R7-55C
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK662R7-55C由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK662R7-55C价格参考。NXP SemiconductorsBUK662R7-55C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK662R7-55C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK662R7-55C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK662R7-55C 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 2.7 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）和 55 V 耐压，适用于中高压、大电流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电机控制（如冷却风扇、雨刮器、座椅调节）、LED 车灯驱动、DC-DC 转换器（如 12 V/48 V 系统中的同步整流与负载开关）； ✅ 工业电源与电机驱动：开关电源（SMPS）次级侧同步整流、电动工具与泵类的 H 桥/半桥驱动、PLC 输出模块负载开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：电池保护电路中的充放电主回路开关（支持大电流通断与过流保护）； ✅ 消费类电源设备：高端适配器、UPS、服务器电源中的高效功率开关。 其逻辑电平特性（VGS(th) 低至 1–2.5 V，可直接由 MCU/驱动 IC 驱动）及优异的热性能（RthJC = 0.9 K/W），使其在空间受限、需高效率与可靠性的嵌入式功率应用中表现突出。注意：实际使用需配合合理散热设计与栅极驱动保护（如限流、防振荡）。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BUK662R7-55C 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商