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Datasheet下载- 型号： BUK653R5-55C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BUK653R5-55C,127产品简介：
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BUK653R5-55C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A，脉冲可达 480 A）及 55 V 耐压，适用于中高压、大电流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载电机控制（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇驱动）、DC-DC 转换器（如 12 V/48 V 系统）、LED 车灯调光与开关；其 AEC-Q101 认证确保满足车规级可靠性要求。 ✅ 工业电源与负载开关：服务器/通信设备的热插拔保护、电源轨切换（OR-ing）、大功率 LED 驱动、PLC 输出模块中的固态继电器替代方案。 ✅ 电动工具与电池供电设备：无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥下管驱动（配合栅极驱动器），支持高效、快速开关；适用于 12–48 V 电池系统，具备过流与雪崩耐受能力。 ✅ 消费类电源管理：高端电源适配器次级同步整流、大电流 USB PD 输出开关等。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1–2.5 V），可直接由 MCU 或 ASIC 驱动，简化外围电路；内置 ESD 保护与优化体二极管，提升系统鲁棒性。需注意合理设计 PCB 散热（TO-220 需良好散热片）及栅极驱动稳定性（避免振荡）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK653R5-55C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11516pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 191nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7497-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
