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  • 型号: BUK6510-75C,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6510-75C,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6510-75C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6510-75C,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK6510-75C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK6510-75C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK6510-75C,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-220AB封装,具有75V漏源电压(VDS)、最大10A连续漏极电流(ID)及低导通电阻(RDS(on)典型值仅28 mΩ @ VGS=10V),支持4.5V逻辑电平驱动,兼容微控制器直接驱动。

其主要应用场景包括:  
✅ 中功率开关电源:如AC-DC适配器、DC-DC转换器中的同步整流或主开关管;  
✅ 电机控制:用于12–48V直流有刷电机的H桥驱动、风扇/泵类负载的PWM调速;  
✅ 电源管理模块:如电子保险丝(eFuse)、负载开关、热插拔电路,利用其快速开关特性与过流保护兼容性;  
✅ 工业控制与自动化设备:PLC输出模块、继电器替代方案、LED恒流驱动的高压侧/低压侧开关;  
✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:该型号为工业级,非车规版;实际车载应用需确认具体批次认证),常用于车身控制模块(BCM)中的灯光、窗控等非安全相关负载开关。

该器件具备雪崩耐受能力、内置ESD保护及优化的开关速度(ton/toff约20/15 ns),兼顾效率与EMI性能,适用于对成本、尺寸和驱动简易性有要求的中等功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 75V 77A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

77 A

Id-连续漏极电流

77 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6510-75C,127TrenchMOS™

数据手册

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产品型号

BUK6510-75C,127

Pd-PowerDissipation

158 W

Pd-功率耗散

158 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5251pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

81nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10.4 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-7489-5
934064248127
BUK6510-75C,127-ND
BUK651075C127

功率-最大值

158W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

77A (Tmb)

配置

Single

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