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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6510-75C,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6510-75C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK6510-75C,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK6510-75C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK6510-75C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6510-75C,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用TO-220AB封装,具有75V漏源电压(VDS)、最大10A连续漏极电流(ID)及低导通电阻(RDS(on)典型值仅28 mΩ @ VGS=10V),支持4.5V逻辑电平驱动,兼容微控制器直接驱动。 其主要应用场景包括: ✅ 中功率开关电源:如AC-DC适配器、DC-DC转换器中的同步整流或主开关管; ✅ 电机控制:用于12–48V直流有刷电机的H桥驱动、风扇/泵类负载的PWM调速; ✅ 电源管理模块:如电子保险丝(eFuse)、负载开关、热插拔电路,利用其快速开关特性与过流保护兼容性; ✅ 工业控制与自动化设备:PLC输出模块、继电器替代方案、LED恒流驱动的高压侧/低压侧开关; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:该型号为工业级,非车规版;实际车载应用需确认具体批次认证),常用于车身控制模块(BCM)中的灯光、窗控等非安全相关负载开关。 该器件具备雪崩耐受能力、内置ESD保护及优化的开关速度(ton/toff约20/15 ns),兼顾效率与EMI性能,适用于对成本、尺寸和驱动简易性有要求的中等功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 75V 77A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 77 A |
| Id-连续漏极电流 | 77 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6510-75C,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6510-75C,127 |
| Pd-PowerDissipation | 158 W |
| Pd-功率耗散 | 158 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5251pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.4 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7489-5 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 77A (Tmb) |
| 配置 | Single |