ICGOO在线商城 > BUK6507-75C,127
Datasheet下载- 型号： BUK6507-75C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BUK6507-75C,127产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6507-75C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BUK6507-75C,127价格参考以及NXP SemiconductorsBUK6507-75C,127封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BUK6507-75C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BUK6507-75C,127详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK6507-75C,127 是 Nexperia USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，额定漏源电压 VDSS = 75 V，连续漏极电流 ID（Tc=25°C）达 48 A，导通电阻 RDS(on) 典型值仅 12.5 mΩ（VGS = 10 V），具备低开关损耗与优异热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 中功率直流电机驱动（如电动工具、家用电器风扇/泵的H桥或单向控制）； ✅ 电源管理模块：作为同步整流开关、DC-DC 转换器（如降压/升降压拓扑）中的主开关或续流器件； ✅ 工业控制接口：PLC 输出级、继电器替代、LED 或加热元件的高效率PWM调光/调温驱动； ✅ 汽车电子辅助系统（符合AEC-Q101认证）：如车身控制模块（BCM）中的车窗升降、座椅调节、冷却风扇控制等非安全关键负载开关； ✅ 电池供电设备保护电路：配合保护IC实现过流/短路快速关断（得益于低RDS(on)和快速开关特性）。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1–2.5 V，10 V 驱动下完全导通），兼容微控制器（如STM32、PIC）直接驱动，简化外围电路设计；TO-220封装便于散热安装，适合中等功率密度要求的应用。注意实际使用中需合理设计PCB散热焊盘及驱动栅极电阻，以保障可靠性和EMI性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 75V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6507-75C,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6507-75C,127 |
| Pd-PowerDissipation | 204 W |
| Pd-功率耗散 | 204 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 123nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7488-5 |
| 功率-最大值 | 204W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
_renders/IS43R16800E-5TL.jpg)
