【BUK6507-75C,127/规格参数】厂家_BUK6507-75C,127中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： BUK6507-75C,127
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BUK6507-75C,127产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6507-75C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供BUK6507-75C,127价格参考以及NXP SemiconductorsBUK6507-75C,127封装/规格参数等产品信息。你可以下载BUK6507-75C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6507-75C,127详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH TRENCH TO220ABMOSFET N-CHAN 75V 100A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	100 A
Id-连续漏极电流	100 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6507-75C,127TrenchMOS™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BUK6507-75C,127
Pd-PowerDissipation	204 W
Pd-功率耗散	204 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	75 V
Vds-漏源极击穿电压	75 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.8V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	7600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	123nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	7.6 毫欧 @ 25A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	568-7488-5 934064247127 BUK6507-75C,127-ND BUK650775C127
功率-最大值	204W
包装	管件
商标	NXP Semiconductors
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	75V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	100A （Tmb）
配置	Single