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Datasheet下载- 型号： BTA316X-600E/DG,12
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BTA316X-600E/DG,12产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220F双向可控硅 600 V 16 A TO220F |
| 产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 10 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 1.5 V |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,NXP Semiconductors BTA316X-600E/DG,12- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BTA316X-600E/DG,12 |
| 三端双向可控硅类型 | 逻辑 - 灵敏栅极 |
| 产品种类 | 双向可控硅 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 保持电流Ih最大值 | 15 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 600 V |
| 其它名称 | 568-9778-5 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 开启状态RMS电流-ItRMS | 16 A |
| 栅极触发电压-Vgt | 1.5 V |
| 栅极触发电流-Igt | 10 mA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-断态 | 600V |
| 电压-栅极触发(Vgt)（最大值） | 1.5V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 140A，150A |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 15mA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 10mA |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | 16A |
| 配置 | 单一 |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 600 V |
