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- 型号： BSZ105N04NSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ105N04NSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ105N04NSG价格参考。InfineonBSZ105N04NSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSZ105N04NSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ105N04NSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ105N04NSG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，采用PG-TSDSO-8封装。其典型参数包括：VDS = 40 V，RDS(on) ≈ 10.5 mΩ（@ VGS = 10 V），ID = 32 A（连续），具备低导通电阻、快速开关特性及集成ESD保护。 该器件广泛应用于对效率、空间和热性能要求较高的中低压功率管理场景，典型应用包括： ✅ DC-DC转换器：如同步降压（Buck）转换器的上下管或并联输出级，提升转换效率与功率密度； ✅ 电机驱动：用于小型无刷直流（BLDC）电机或步进电机的H桥驱动电路，双MOSFET结构简化布局； ✅ 电源管理模块（PMIC）与负载开关：在服务器、通信设备、工业PLC中实现高效、紧凑的多路负载控制与电源排序； ✅ LED驱动与照明系统：支持PWM调光的恒流驱动电路，兼顾低损耗与高可靠性； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准，适用于车载USB充电模块、车身控制单元（BCM）中的继电器替代方案及智能灯光控制等12 V系统。 其逻辑电平驱动（VGS(th)低至1.2–2.2 V）兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动，无需额外驱动IC；集成的体二极管具有优异反向恢复特性，降低开关损耗与EMI风险。综合来看，BSZ105N04NSG适用于追求高集成度、高能效与小尺寸设计的中功率开关应用。
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