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  • 型号: BSZ076N06NS3G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ076N06NS3G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ076N06NS3G价格参考。InfineonBSZ076N06NS3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ076N06NS3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ076N06NS3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSZ076N06NS3G 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的双通道N沟道功率MOSFET阵列,采用PG-TSDSON-8封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅7.6 mΩ @ VGS=10 V)、高电流能力(ID = 50 A)、60 V耐压及优异的开关性能。其集成双管共源结构与优化的栅极电荷(Qg ≈ 24 nC),特别适用于空间受限、高效率要求的中低压功率转换场景。

典型应用场景包括:  
✅ 服务器/通信电源:用于同步整流BUCK或POL(Point-of-Load)DC-DC转换器的下管,提升转换效率与功率密度;  
✅ 工业电机驱动:在小型BLDC(无刷直流)电机控制中,作为半桥驱动单元中的低侧开关,支持高频PWM调制;  
✅ 电池管理系统(BMS):用于电池充放电路径的双向保护开关或均衡电路中的功率开关;  
✅ LED照明驱动:在高效率恒流驱动电路中实现快速、低损耗的电流切换;  
✅ 消费电子适配器/快充模块:在多相交错并联拓扑中分担电流,降低热应力,满足能效标准(如80 PLUS Titanium)。

该器件具备增强型SOA(安全工作区)、内置ESD保护及符合RoHS/REACH的环保设计,兼顾可靠性与量产适应性。其双通道集成结构可简化PCB布局、减少外围元件数量,显著降低系统成本与体积。
产品参数 图文手册 常见问题
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