图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ042N04NS由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ042N04NS价格参考。InfineonBSZ042N04NS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSZ042N04NS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSZ042N04NS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSZ042N04NS 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用OptiMOS™ 5技术,具有低导通电阻(RDS(on) = 4.2 mΩ @ VGS = 10 V)、快速开关特性及优异的体二极管性能。其额定电压为40 V,连续漏极电流达60 A(TC = 25°C),采用小型化PG-TSDSON-8封装(3.3×3.3 mm),具备高功率密度与良好热性能。 典型应用场景包括: ✅ 服务器与通信电源:用于DC-DC同步整流、POL(负载点)转换器及VRM模块,提升效率与功率密度; ✅ 工业电机驱动:在BLDC电机控制器中作上/下桥臂开关,支持高频PWM控制,降低导通与开关损耗; ✅ 电池供电设备:如电动工具、无人机、便携式医疗设备中的高效H桥驱动与电池保护电路; ✅ 汽车电子:符合AEC-Q101标准(该型号有车规版本BSZ042N04NS3 G),适用于车载DC-DC变换器、LED车灯驱动及ADAS辅助电源系统; ✅ 消费类快充方案:在GaN+Si混合或纯硅快充适配器中用作次级同步整流开关,提升能效并满足PD3.0/PPS要求。 其低Qg和优异Ciss/Coss比值利于高频工作(可达1 MHz以上),配合英飞凌驱动IC(如1EDN/2EDN系列)可实现更优EMI与热管理表现。