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Datasheet下载- 型号： BST60,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BST60,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BST60,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BST60,115价格参考以及NXP SemiconductorsBST60,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BST60,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BST60,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BST60,115 是 NXP USA Inc.（恩智浦）推出的 NPN 型通用双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 250–600）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC=100 mA）和快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）。其主要应用场景包括： 1. 中小功率开关控制：广泛用于消费电子、工业控制板中的 LED 驱动、继电器/电磁阀驱动、小型电机启停等，可直接由 MCU GPIO（3.3 V/5 V）驱动； 2. 信号电平转换与逻辑接口：在不同电压域（如 3.3 V MCU 控制 5 V 外设）间实现电平适配与反相缓冲； 3. 模拟前端简易放大：适用于低频小信号预放大（如传感器信号调理、音频输入级），但非精密放大首选； 4. 电源管理辅助电路：如 LDO 使能控制、充电指示、电源状态检测等低功耗监测功能。 该器件不适用于大电流（IC max = 500 mA）、高电压（VCEO = 60 V）或高频射频场景。其SOT-23封装利于高密度PCB布局，成本低、供货稳定，是通用分立BJT的典型选型之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 45V 500MA SOT89达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,NXP Semiconductors BST60,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BST60,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.3V @ 500µA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 2000 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6970-6 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | BST60 T/R |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
