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  • 型号: BSP33,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BSP33,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP33,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP33,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP33,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 1A 100MHz 1.3W 表面贴装 SOT-223。您可以下载BSP33,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP33,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BSP33,115 型号晶体管属于双极型晶体管(BJT)中的单晶体管类别,其应用场景主要包括以下方面:

 1. 开关电路
   - BSP33,115 可用于设计高效的开关电路。由于其具有低饱和电压和快速开关特性,适用于需要高频开关的应用场景,例如电源管理模块、继电器驱动和LED驱动。

 2. 信号放大
   - 作为一款双极型晶体管,BSP33,115 能够在音频设备、传感器信号调理电路中实现信号放大功能。它适合处理小信号到中等功率范围内的放大需求。

 3. 电源管理
   - 在便携式电子设备中,该晶体管可用于电池充电管理、电压调节以及电流限制等功能。它的高电流承载能力和稳定性使其成为电源管理的理想选择。

 4. 电机控制
   - BSP33,115 可用于小型直流电机或步进电机的驱动与控制。通过配合其他元件(如PWM控制器),可以实现精确的速度控制和方向切换。

 5. 保护电路
   - 该晶体管可应用于过流保护、短路保护等安全电路中。利用其良好的电流承受能力,可以在异常情况下切断电路以保护系统免受损害。

 6. 通信设备
   - 在低功耗无线通信模块中,BSP33,115 可用作射频前端的开关或放大器组件,支持稳定的信号传输。

 总结
BSP33,115 的主要特点是高性能、高可靠性和广泛的适用性。它适用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信领域等多种行业,特别是在需要高效开关、信号放大和电源管理的场合表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 80V 1000MA SOT223两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BSP33,115-

数据手册

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产品型号

BSP33,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6962-6

功率-最大值

1.3W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

30 at 100 uA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

30 at 100 uA at 5 V, 100 at 100 mA at 5 V, 50 at 500 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

90 V

零件号别名

BSP33 T/R

频率-跃迁

100MHz

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