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- 型号： BSO303SP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO303SP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSO303SP价格参考。InfineonBSO303SP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSO303SP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSO303SP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO303SP 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能、小尺寸、逻辑电平兼容的N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23-3L封装（超小型表面贴装），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅28 mΩ @ VGS = 4.5 V）、快速开关特性及强抗雪崩能力。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或LED背光驱动，得益于SOT-23小尺寸与低功耗特性； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流：在升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升效率（尤其在1–5 A中低电流、高频率（~1–2 MHz）应用中）； ✅ 工业与消费类嵌入式系统中的信号切换与驱动：如微控制器GPIO直接驱动的继电器/LED/小功率电机控制，支持3.3 V/5 V逻辑电平开通； ✅ USB端口过流保护与热插拔电路：配合限流检测电路实现快速关断，保障系统安全； ✅ 电池供电IoT节点中的电源路径管理：用于电池与USB供电间的自动切换或反向电流阻断。 该器件不适用于高压（>30 V）、大电流（持续>3 A）或高功率散热受限场景。设计时需注意PCB散热焊盘优化以维持结温安全。综上，BSO303SP是空间敏感、中低功率、高能效数字/电源接口应用的理想选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSO303SP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1754pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | BSO303SPXTINCT |
| 功率-最大值 | 2.35W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.9A （Ta） |
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