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  • 型号: BSO211P
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSO211P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSO211P由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSO211P价格参考以及InfineonBSO211P封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSO211P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSO211P详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSO211P_220102.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42ae969441d&fileId=db3a304412b407950112b42ae9d7441e

产品图片

产品型号

BSO211P

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

920pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23.9nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

67 毫欧 @ 4.7A,4.5V

供应商器件封装

P-DSO-8

其它名称

BSO211PINCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.7A

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