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- 型号： BSO211P
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BSO211P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSO211P由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSO211P价格参考以及InfineonBSO211P封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSO211P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BSO211P详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSO211P 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用小型SOT-363（SC-70-6）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.4 Ω @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电源路径控制，用于实现电池供电与USB供电间的智能切换或外设供电的独立启停。 2. 高边/低边开关电路：适用于DC-DC转换器、LED驱动或传感器模块中的逻辑电平控制开关，尤其适合需要双路独立控制且空间受限的场合（如IoT终端、微型电机驱动）。 3. 反向电流保护与热插拔电路：利用其集成双P-MOSFET结构，可构建紧凑型防倒灌电路，保障USB接口、Type-C端口或电池充放电路径的安全性。 4. 电平转换与信号门控：在3.3 V/1.8 V系统中配合上拉电阻实现双向电平适配，或作为I²C/SPI总线上的从设备使能开关。 该器件支持-20 V耐压、最大连续漏极电流±2 A（单通道），具备ESD防护（HBM > 2 kV）及无铅RoHS合规特性，特别适用于对尺寸、功耗和可靠性要求严苛的消费类与工业嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET DUAL P-CH 20V 4.7A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSO211P_220102.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42ae969441d&fileId=db3a304412b407950112b42ae9d7441e |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BSO211P |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 67 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | P-DSO-8 |
| 其它名称 | BSO211PINCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A |
