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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSM25GD120DLCE3224由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSM25GD120DLCE3224价格参考。InfineonBSM25GD120DLCE3224封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSM25GD120DLCE3224参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSM25GD120DLCE3224 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSM25GD120DLC_E3224.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095b0601e3&fileId=db3a304412b407950112b431b104552b |
产品图片 | |
rohs | 否 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies BSM25GD120DLCE3224 |
产品型号 | BSM25GD120DLCE3224 |
产品 | IGBT Silicon Modules |
产品种类 | IGBT 模块 |
功率耗散 | 200 W |
商标 | Infineon Technologies |
在25C的连续集电极电流 | 50 A |
安装风格 | Screw |
封装 | Reel |
封装/箱体 | EconoPACK 2A |
工厂包装数量 | 10 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
配置 | Hex |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |