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  • 型号: BSM25GD120DLCE3224
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSM25GD120DLCE3224由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSM25GD120DLCE3224价格参考。InfineonBSM25GD120DLCE3224封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSM25GD120DLCE3224参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSM25GD120DLCE3224 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSM25GD120DLC_E3224.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095b0601e3&fileId=db3a304412b407950112b431b104552b

产品图片

rohs

产品系列

晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies BSM25GD120DLCE3224

产品型号

BSM25GD120DLCE3224

产品

IGBT Silicon Modules

产品种类

IGBT 模块

功率耗散

200 W

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

50 A

安装风格

Screw

封装

Reel

封装/箱体

EconoPACK 2A

工厂包装数量

10

最大工作温度

+ 125 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

配置

Hex

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

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