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BSC750N10ND G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC750N10ND G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC750N10ND G价格参考以及InfineonBSC750N10ND G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC750N10ND G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC750N10ND G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSONMOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC750N10ND GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC750N10ND_rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116e7486f820df3http://www.infineon.com/dgdl/BSC750N10ND_rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116e7486f820df3 |
| 产品型号 | BSC750N10ND G |
| Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 12µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 75 毫欧 @ 13A,10V |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
| 其它名称 | BSC750N10ND G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 26W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A |
| 系列 | BSC750N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | BSC750N10NDGATMA1 SP000359610 |