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  • 型号: BSC750N10ND G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BSC750N10ND G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSC750N10ND G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC750N10ND G价格参考以及InfineonBSC750N10ND G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC750N10ND G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSC750N10ND G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSONMOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3.2 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC750N10ND GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/BSC750N10ND_rev1.03.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116e7486f820df3http://www.infineon.com/dgdl/BSC750N10ND_rev1.05.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116e7486f820df3

产品型号

BSC750N10ND G

Pd-PowerDissipation

1500 mW

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

75 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

75 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 12µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

720pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 13A,10V

产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

PG-TDSON-8(5.15x6.15)

其它名称

BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GTR
BSC750N10NDG
BSC750N10NDGATMA1
SP000359610

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

26W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

TDSON-8

工厂包装数量

5000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A

系列

BSC750N10

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

零件号别名

BSC750N10NDGATMA1 SP000359610

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