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- 型号： BSC019N04NSG
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC019N04NSG由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC019N04NSG价格参考。InfineonBSC019N04NSG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSC019N04NSG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSC019N04NSG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSC019N04NSG 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.9 mΩ @ VGS=10 V）、快速开关特性及优异的体二极管性能。其主要应用场景包括： - 服务器与通信电源：用于同步整流、DC-DC降压转换器（如CPU/GPU供电的POL模块），显著提升能效与功率密度； - 工业电源与UPS系统：在高频LLC谐振变换器、有源钳位正激电路中承担主开关或同步整流角色，降低导通与开关损耗； - 电动工具与电池供电设备：凭借低RDS(on)和强短路耐受能力，适用于高电流电机驱动H桥的上下桥臂； - 车载充电机（OBC）与DC-DC转换器：满足AEC-Q101认证（该型号为工业级，但同系列广泛用于车规设计），支持高效率、小体积设计； - 太阳能逆变器辅助电源及储能系统：在隔离式辅助电源中作为高效开关器件。 该器件采用PG-TDSON-8封装（裸焊盘），热性能优异，适合高功率密度布局。需配合优化的栅极驱动（避免过冲/振铃）及PCB散热设计以发挥最佳性能。
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