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- 型号： BSB056N10NN3G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSB056N10NN3G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSB056N10NN3G价格参考￥8.92-￥8.92。InfineonBSB056N10NN3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BSB056N10NN3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSB056N10NN3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSB056N10NN3G 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用OptiMOS™ 5技术，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅5.6 mΩ @ VGS=10 V）、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为100 V，连续漏极电流达90 A（TC=25°C），适用于中高压、高效率、高功率密度的电源系统。 典型应用场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于DC-DC转换器（如POL模块、VRM）、AC-DC一次侧/同步整流等，提升能效与功率密度； ✅ 工业电机驱动：在BLDC电机控制、变频器及H桥驱动中承担高频开关任务，兼顾低损耗与动态响应； ✅ 车载电源系统：适配48 V轻混（MHEV）架构中的DC-DC转换、电池管理系统（BMS）保护开关及车载充电（OBC）辅助电路； ✅ 太阳能逆变器：用作MPPT升压级或隔离型变换器中的主开关器件，支持高频硬开关设计； ✅ UPS与储能系统：在双向DC-DC或逆变环节中实现高效能量转换与快速保护响应。 该器件采用PG-TDSON-8封装（顶部散热），支持PCB双面散热与紧凑布局，配合英飞凌驱动IC（如1EDN/2EDN系列）可进一步优化开关性能与EMI表现。广泛应用于对效率、可靠性与小型化有严苛要求的工业及高端消费类电源场景。
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