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BR24L01AFVT-WE2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BR24L01AFVT-WE2由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BR24L01AFVT-WE2价格参考。ROHM SemiconductorBR24L01AFVT-WE2封装/规格:存储器, EEPROM 存储器 IC 1Kb (128 x 8) I²C 400kHz 8-TSSOP-B。您可以下载BR24L01AFVT-WE2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BR24L01AFVT-WE2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BR24L01AFVT-WE2 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款存储器芯片,具体为铁电随机存取存储器(FRAM, Ferroelectric Random Access Memory)。以下是该型号的主要应用场景: 1. 工业设备 - 数据记录与日志存储:适用于需要频繁写入和高可靠性的场景,例如工业自动化设备中的运行状态记录、故障日志存储等。 - 参数配置存储:用于保存设备的配置参数,即使断电后也能保持数据完整性。 - 传感器数据缓存:在工业物联网(IIoT)中,可用于临时存储传感器采集的数据。 2. 消费电子产品 - 便携式设备:如电子词典、健康监测设备等,用于存储用户设置或历史数据。 - 家用电器:如智能冰箱、洗衣机等,用于保存用户的偏好设置或运行模式。 3. 医疗设备 - 患者数据存储:在便携式医疗设备中,用于存储患者的生理数据,如心率、血压等。 - 设备校准参数:保存设备校准所需的参数,确保测量结果的准确性。 4. 汽车电子 - 行车数据记录:用于记录车辆的行驶状态、故障信息等。 - 控制单元配置:存储汽车电子控制单元(ECU)的配置参数。 5. 计量与能源管理 - 智能电表:用于存储用电量数据、时间戳等信息。 - 能源管理系统:保存能耗分析数据或系统配置信息。 特点与优势 - 高速写入:相比传统EEPROM或闪存,FRAM具有更快的写入速度。 - 低功耗:适合电池供电的设备,延长设备续航时间。 - 高耐久性:支持超过10万亿次的读写操作,适合频繁写入的应用场景。 - 非易失性:断电后数据不会丢失,确保数据的安全性和可靠性。 综上所述,BR24L01AFVT-WE2 主要应用于需要高频写入、低功耗、高可靠性和非易失性存储的场景,广泛覆盖工业、消费、医疗、汽车和能源管理等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC EEPROM 1KBIT 400KHZ 8TSSOP-B电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS 1Kbit 1.8-5.5V Supply |
产品分类 | |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 内存,电可擦除可编程只读存储器,ROHM Semiconductor BR24L01AFVT-WE2- |
数据手册 | |
产品型号 | BR24L01AFVT-WE2 |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30341 |
产品目录页面 | |
产品种类 | 电可擦除可编程只读存储器 |
供应商器件封装 | 8-TSSOP-B |
其它名称 | BR24L01AFVT-WE2DKR |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
存储器类型 | EEPROM |
存储容量 | 1 kbit |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
封装/箱体 | TSSOP-B8 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工作电源电压 | 2.5 V, 3.3 V, 5 V |
工厂包装数量 | 3000 |
接口 | I²C,2 线串口 |
接口类型 | I2C |
数据保留 | 40 yr |
最大工作温度 | + 85 C |
最大时钟频率 | 400 kHz |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
格式-存储器 | EEPROMs - 串行 |
电压-电源 | 1.8 V ~ 5.5 V |
电源电压-最大 | 5.5 V |
电源电压-最小 | 1.8 V |
组织 | 128 x 8 |
访问时间 | 3500 ns |
速度 | 400kHz |