【未分类_BQ4010MA-70】封装/厂家_BQ4010MA-70中文资料_价格

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型号： BQ4010MA-70
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BQ4010MA-70由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BQ4010MA-70价格参考。Texas InstrumentsBQ4010MA-70封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BQ4010MA-70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BQ4010MA-70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BQ4010MA-70 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款非易失性静态RAM（NVSRAM），而非传统意义上的存储器（如EEPROM、Flash或SDRAM）。其核心特点是：在标准SRAM基础上集成内置锂电池和智能电源管理电路，实现断电后数据自动保存（典型保持时间≥10年），上电后无缝恢复，无需外部备份操作。

主要应用场景包括：  
✅ 工业自动化设备：PLC、DCS系统中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键实时信息，确保意外断电不丢数；  
✅ 通信基础设施：基站、交换机中的配置寄存器、MAC地址表、时钟同步状态等需高速读写+高可靠保持的场景；  
✅ 医疗电子设备：监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的设备，用于存储患者设置、报警阈值及事件记录；  
✅ 智能电表与能源管理系统：保存累计电量、需量数据、停电/复电时间戳等计量关键信息，满足国网/南网规约要求；  
✅ 军事与航空航天嵌入式系统：在宽温、振动、供电不稳环境下提供抗干扰、零延迟的数据持久化能力。

注：该器件已停产（TI官网标注NRND），当前多被更先进的I²C/SPI接口NVSRAM（如BQ4013系列）或MRAM替代，但仍在部分存量工业设备中服役。应用时需注意其-40°C~85°C工作温度范围及70ns访问速度特性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
产品分类	存储器
品牌	Texas Instruments
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BQ4010MA-70
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	28-DIP 模块（18.42x37.72）
其它名称	296-32841-5 BQ4010MA-70-ND BQ4010MA70
包装	托盘
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	64K （8K x 8）
封装/外壳	28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	14
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.75 V ~ 5.5 V
速度	70ns