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产品简介:
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Ampleon USA Inc. 的 BLF8G27LS-100V,112 是一款射频功率 MOSFET 晶体管,主要应用于高功率射频系统中。该器件特别适用于工作频率在 UHF 至 2.7 GHz 范围内的无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射机和工业、科学及医疗(ISM)频段设备。 该 MOSFET 具有高效率、高增益和优异的热稳定性,适合用于射频功率放大器的输出级,支持多种调制方式,包括GSM、WCDMA、LTE等现代通信标准。其100V的漏极电压耐受能力使其在高功率应用中具备更高的可靠性和耐用性。 此外,BLF8G27LS-100V,112 还广泛用于广播发射机中的模拟和数字电视、调频广播放大系统,具备良好的抗失真能力和线性度,满足高质量信号传输需求。 综上,该器件主要应用场景包括:通信基站、广播发射设备、ISM射频功率系统等高性能射频功率放大领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS 100W LDMOS CDFM6 SOT1244B |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLF8G27LS-100V,112 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | CDFM6 |
其它名称 | 934067073112 |
功率-输出 | 25W |
包装 | 散装 |
噪声系数 | - |
增益 | 17dB |
封装/外壳 | SOT-1244B |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 20 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 900mA |
频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
额定电流 | 4.2µA |