Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-100J
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-100J由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-100J价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-100J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-100J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-100J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-100J 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.4–2.7 GHz 频段设计（典型工作频段：2.5–2.7 GHz），额定输出功率达 100 W（连续波），具备高增益（>18 dB）、高效率（典型漏极效率约 65%）和优异的线性度与热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ 5G 宏基站与小型基站（Small Cell）发射链路：适用于 2.6 GHz n41 频段（中国及全球主流 5G 频段），支持多载波 LTE/5G NR 信号放大； ✅ 宽带无线接入系统（如 WiMAX、WTTx）：满足高带宽、高EVM要求的固定无线接入（FWA）终端与基站功放模块； ✅ 工业、科学与医疗（ISM）射频加热与等离子体发生器：在 2.45 GHz ISM 频段提供稳定大功率输出，用于半导体制造、材料处理等； ✅ 雷达与电子对抗（EW）系统：适用于 S 波段中短距雷达、通信干扰机等对可靠性与脉冲性能要求严苛的军用/民用平台。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1222B），支持风冷或液冷设计，内置ESD保护与高鲁棒性（可承受10:1 VSWR 不匹配），适合高可靠性、连续运行的商用与工业级射频功放设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 100W LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-100J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934068313118 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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