Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-100GVQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-100GVQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-100GVQ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-100GVQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-100GVQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-100GVQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-100GVQ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，工作频率范围为 2.4–2.7 GHz，典型输出功率达 100 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频放大场景。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站与大规模 MIMO（Massive MIMO）发射通道：支持 2.6 GHz 频段（如中国 n41、欧洲 B41），满足 5G NR 中高频频段对高功率、高增益和优异热稳定性的要求； - 宽带无线通信基础设施：用于 4G LTE 和 5G 基站的末级功率放大器（PA），兼容 DPD（数字预失真）技术，实现高ACLR性能与能效； - 广播与专业无线系统：适用于点对多点（PMP）、专网通信（如公共安全、铁路无线系统）及小型蜂窝（Small Cell）回传链路中的中功率射频放大； - 工业/科研射频源：如医疗射频消融设备、等离子体发生器、EMC 测试用宽带功放模块等需稳定大功率输出的非通信领域。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT1222A），具备优异的散热能力与可靠性，支持高电压（32 V）供电，集成ESD保护，简化外围设计。其“VQ”后缀代表符合 AEC-Q200 可靠性标准，亦适用于车载通信或严苛环境部署。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 100W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-100GVQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934067916127 |
| 标准包装 | 24 |
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