Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-100GVJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-100GVJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-100GVJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-100GVJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-100GVJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-100GVJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-100GVJ 是 Ampleon USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.49–2.69 GHz 频段（如 5G NR n41 频段）设计，典型输出功率达 100 W（连续波），具备高增益（≥18 dB）、高效率（典型 PAE > 65%）和优异线性度。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：广泛用于 Sub-6 GHz 5G 基站的末级功放模块，支持高带宽（如 100 MHz 5G NR 信号）和高阶调制（256-QAM），满足 Massive MIMO 和多载波要求； - 无线通信基础设施：适用于 TDD 模式下的室内分布系统、小型基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的射频功放子系统； - 宽带无线接入与WLAN扩展应用：兼容部分 IEEE 802.11ax/ax-6E 的高功率接入点（AP）或点对点回传设备（需匹配外围电路）； - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（FirstNet）、专网 LTE/5G（如电力、交通调度）的中高功率发射终端。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1222A），支持风冷/液冷散热，具备高可靠性（符合 AEC-Q200 可靠性标准）和卓越的VSWR耐受能力（10:1），适合严苛环境下的长期稳定运行。注：实际应用需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真（DPD）算法以优化性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 100W ACC-6L |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-100GVJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 其它名称 | 934067916118 |
| 标准包装 | 100 |
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