【未分类_BLF7G27L-100,112】封装/厂家_BLF7G27L-100,112中文资料_价格

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型号： BLF7G27L-100,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27L-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27L-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27L-100,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G27L-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27L-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF7G27L-112（注：型号标准写法为BLF7G27LS-100/112，常见后缀“112”指卷带包装）是NXP USA Inc.推出的高性能LDMOS射频功率晶体管，专为2.4–2.7 GHz频段设计（典型工作频段2.5–2.7 GHz），额定输出功率达100 W（连续波，CW），具备高增益（典型20 dB）、高效率（典型65% @ 2.65 GHz）和优异的热稳定性。

其主要应用场景包括：  
1. 5G Sub-6 GHz基站功放：广泛用于2.6 GHz频段（如中国n41、欧洲n7/n40）宏基站与微基站的末级功率放大器（PA），支持高阶调制（如256-QAM）及宽带信号（100 MHz以上瞬时带宽）；  
2. 无线通信基础设施：适用于TDD-LTE及5G NR基站中的多载波Doherty架构PA模块，满足ACLR、EVM等严苛线性度要求；  
3. 工业与专用通信系统：如公共安全宽带集群（如TETRA增强型、P25 Phase II）、固定无线接入（FWA）CPE终端射频前端；  
4. 测试与医疗射频源：在2.45 GHz ISM频段用于RF加热、等离子体激发及磁共振设备的固态射频激励源。

该器件采用陶瓷封装（SOT1222B），集成ESD保护与高可靠性LDMOS工艺，支持高VSWR耐受（≥10:1），适合工业级温度范围（–40°C 至 +150°C）。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计（推荐强制风冷或水冷）以发挥最佳性能。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G27L-100,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	LDMOST
其它名称	934064591112
功率-输出	-
包装	托盘
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	SOT-502A
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	900mA
频率	2.6GHz ~ 2.7GHz
额定电流	-