【未分类_BLF6G27S-45,112】封装/厂家_BLF6G27S-45,112中文资料_价格

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型号： BLF6G27S-45,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27S-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27S-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27S-45,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF6G27S-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27S-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的型号 BLF6G27S-45,112 是一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件支持频率范围较宽，适用于广播、工业加热、等离子体发生以及无线基础设施等领域。

具体应用场景包括：

1. 广播发射机：用于调幅（AM）或调频（FM）广播设备中，作为高效功率放大器。
2. 工业与医疗设备：如高频感应加热、激光器和磁共振成像（MRI）设备中的射频电源模块。
3. 通信基础设施：在基站、无线电中继站等设备中用于射频信号放大。
4. 测试与测量设备：作为高功率射频信号源或放大模块使用。

该MOSFET具有良好的热稳定性和高效率，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，在高可靠性要求的环境中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC WIMAX 2.7GHZ SOT608B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF6G27S-45,112
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM2
其它名称	568-8655 934060912112 BLF6G27S-45 BLF6G27S-45,112-ND BLF6G27S-45-ND BLF6G27S45112
功率-输出	7W
包装	散装
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT-608B
晶体管类型	LDMOS
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	350mA
频率	2.7GHz
额定电流	20A