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- 型号： BLF6G20LS-180RN112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20LS-180RN112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20LS-180RN112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20LS-180RN112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G20LS-180RN112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20LS-180RN112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G20LS-180RN112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），专为L波段（约1.8–2.0 GHz）高功率放大应用设计。其典型应用场景包括： • 地面数字电视（DTMB）和DVB-T/T2广播发射机：作为末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率，满足大范围覆盖需求； • 无线通信基础设施：适用于4G LTE基站的中继/微蜂窝射频功放模块，尤其在需兼顾带宽与效率的L波段频段； • 雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制（ATC）等L波段连续波（CW）或脉冲雷达的发射链路，得益于其高增益（典型>15 dB）、高输出功率（P1dB ≈ 180 W）及良好热稳定性； • 工业与科学射频源：如等离子体发生器、射频加热设备中的固态功率放大单元。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT1222A），具备优异的散热性能与可靠性，支持宽带匹配设计，并内置ESD保护。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热方案使用，典型工作模式为AB类或C类。不适用于5G毫米波或高频毫米波场景，亦非通用低频开关器件。
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