【未分类_BLF574XR112】封装/厂家_BLF574XR112中文资料_价格

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型号： BLF574XR112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF574XR112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF574XR112价格参考。NXP SemiconductorsBLF574XR112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF574XR112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF574XR112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF574XR112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管（虽归类为“双极性晶体管（BJT）- 单个”在部分分销平台存在误标，实为增强型横向扩散金属氧化物半导体场效应管，即 RF LDMOS FET），主要用于 900 MHz 频段的高效率、高线性度射频功率放大。其典型应用场景包括：  
- 蜂窝基站基础设施：适用于 GSM、EDGE、LTE-FDD/TDD 等 900 MHz 宏基站和微基站的末级功率放大器（PA），支持高达 112 W（峰值）输出功率；  
- 无线通信设备：用于中继站、分布式天线系统（DAS）及小型化基站中的宽带射频功放模块；  
- 工业与专用通信系统：如公共安全无线电、PMR（专业移动无线电）、TETRA 基站等需高可靠性、高增益（典型增益 18 dB @ 945 MHz）和优异热稳定性的场景；  
- 广播辅助应用：部分低功率数字广播发射链路中用作驱动级或中功率放大级。  

该器件采用气腔陶瓷封装（SOT1222A），具备良好散热性与高可靠性，支持 28 V 或 32 V 供电，强调高效率（典型 PAE > 65%）和宽输入/输出匹配带宽。需注意：其设计需配合匹配网络与稳定电路，并严格遵循NXP官方参考设计（如 AN11158）进行布局与热管理。  

（注：该器件并非BJT，而是RF LDMOS；分类错误常见于第三方分销平台，实际选型应以NXP官网数据手册为准。）

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