Datasheet下载- 型号： BLF4G22LS-130,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF4G22LS-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF4G22LS-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF4G22LS-130,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF4G22LS-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF4G22LS-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF4G22LS-130,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2110–2200 MHz），适用于高效率、高线性度的无线通信基站发射链路。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站（Sub-6 GHz）：作为末级功率放大器（PA），支持 5G NR n1/n25/n34/n39 等频段，满足大规模 MIMO 和高阶调制（如 256-QAM）对线性度与ACLR（邻道泄漏比）的严苛要求； - 4G LTE 基站升级与扩容：兼容 LTE FDD/TDD 网络，在 2.1 GHz 频段提供高达 130 W（峰值）输出功率，具备优异的热稳定性和长期可靠性； - 有源天线单元（AAU）与远程射频单元（RRU）：采用陶瓷封装（SOT1222A）和优化的热设计，便于集成于紧凑型射频模块，支持高功率密度部署； - 小基站（Metro Cell）及分布式基站系统：在中等功率场景下可配置为多载波或多频段合路方案，兼顾效率（典型 PAE ≥ 55% @ 2.14 GHz）与带宽（瞬时带宽 ≥ 80 MHz）。 该器件支持宽带匹配设计，内置ESD保护，符合RoHS标准，广泛应用于全球主流通信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的商用基站射频解决方案中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF4G22LS-130,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-2416 |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.15A |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 15A |
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