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产品简介:
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BLF2425M7LS140,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频(RF)LDMOS 功率晶体管,专为 2.4–2.5 GHz 频段设计(典型工作频段:2400–2500 MHz),采用高可靠性陶瓷封装(SOT1232A-1),具备140 W连续波(CW)输出能力与优异的热稳定性。 其主要应用场景包括: ✅ 5G 小基站(Small Cell)发射链路:适用于2.4 GHz频段的室内/室外微基站PA(功率放大器),支持高效率线性放大,满足LTE-U、NR-U等非授权频谱通信需求; ✅ Wi-Fi 6/6E 接入点(AP)与企业级路由器:作为前端模块中的末级功放,提升2.4 GHz频段覆盖范围与吞吐量; ✅ 工业、科学与医疗(ISM)设备:如2.45 GHz微波加热控制系统、无线传感器网络节点、RFID读写器等中高功率射频源; ✅ 广播与无线传输系统:用于低功率数字电视辅助发射、无线音视频传输(如WVGA/WUXGA无线投屏)等需稳定CW或OFDM信号放大的场景。 该器件具备高增益(典型16 dB @ 2.45 GHz)、高漏极效率(>60% @ CW)、良好线性度(适合20 MHz LTE/OFDMA信号)及内置ESD保护,配合NXP推荐的匹配电路与散热方案,可实现紧凑型、高可靠性射频功放设计。广泛应用于通信基础设施、智能网联设备及工业无线系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF2425M7LS140,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934066224112 |
| 功率-输出 | 140W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| 额定电流 | - |