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  • 型号: BLF2425M7LS140,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7LS140,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7LS140,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7LS140,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF2425M7LS140,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF2425M7LS140,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF2425M7LS140,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频(RF)LDMOS 功率晶体管,专为 2.4–2.5 GHz 频段设计(典型工作频段:2400–2500 MHz),采用高可靠性陶瓷封装(SOT1232A-1),具备140 W连续波(CW)输出能力与优异的热稳定性。

其主要应用场景包括:  
✅ 5G 小基站(Small Cell)发射链路:适用于2.4 GHz频段的室内/室外微基站PA(功率放大器),支持高效率线性放大,满足LTE-U、NR-U等非授权频谱通信需求;  
✅ Wi-Fi 6/6E 接入点(AP)与企业级路由器:作为前端模块中的末级功放,提升2.4 GHz频段覆盖范围与吞吐量;  
✅ 工业、科学与医疗(ISM)设备:如2.45 GHz微波加热控制系统、无线传感器网络节点、RFID读写器等中高功率射频源;  
✅ 广播与无线传输系统:用于低功率数字电视辅助发射、无线音视频传输(如WVGA/WUXGA无线投屏)等需稳定CW或OFDM信号放大的场景。

该器件具备高增益(典型16 dB @ 2.45 GHz)、高漏极效率(>60% @ CW)、良好线性度(适合20 MHz LTE/OFDMA信号)及内置ESD保护,配合NXP推荐的匹配电路与散热方案,可实现紧凑型、高可靠性射频功放设计。广泛应用于通信基础设施、智能网联设备及工业无线系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF2425M7LS140,112

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

934066224112

功率-输出

140W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.3A

频率

2.4GHz ~ 2.5GHz

额定电流

-

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