Datasheet下载- 型号： BLA1011S-200R,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA1011S-200R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA1011S-200R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLA1011S-200R,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA1011S-200R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA1011S-200R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLA1011S-200R,112 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高频、高效率、大功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于 4G LTE 和 5G 宏基站的射频末级功率放大器（PA），工作频段覆盖 1805–2200 MHz（如 Band 1/3/7/38/40 等），支持多载波和高阶调制（如 256-QAM），具备高增益（约 18 dB）、高输出功率（连续波下可达 200 W）及优异的线性度与效率（典型 PAE > 65%）。 - 广播与无线基础设施：可用于 UHF 频段（如 470–862 MHz）数字电视（DTMB、DVB-T/T2）或 FM 广播激励器/中功率发射模块。 - 工业与科研射频源：如 RFID 读写器、等离子体发生器、医疗射频消融设备及 EMC 测试用宽带功放模块，得益于其宽频带匹配能力与高可靠性（内置ESD保护，热稳定性优异）。 该器件采用陶瓷金属封装（SOT-1222），支持风冷或液冷散热，符合 RoHS 标准，适用于严苛环境下的长期连续运行。需配合匹配网络、偏置电路与驱动级协同设计，常搭配 NXP 的射频驱动器（如 MMIC AFT05MS004）及 GaN/LDMOS 专用电源管理方案使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA1011S-200R,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-7542 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 36V |
| 电压-额定 | 75V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | - |
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