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- 型号： BK20104S431-T
- 制造商： TAIYO YUDEN-XENTEK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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BK20104S431-T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BK20104S431-T由TAIYO YUDEN-XENTEK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BK20104S431-T价格参考以及TAIYO YUDEN-XENTEKBK20104S431-T封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BK20104S431-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BK20104S431-T详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BK20104S431-T是Taiyo Yuden（太阳诱电）推出的铁氧体磁珠芯片，尺寸为2010（即2.0×1.0mm），阻抗为430Ω（@100MHz），额定电流3.5A，直流电阻低至0.025Ω。其主要应用场景为电源线和信号线的高频噪声抑制。 典型应用包括： - DC-DC转换器输出端滤波：用于消除开关电源产生的10–100MHz频段高频纹波与EMI噪声，提升供电纯净度； - 微处理器/FPGA/ASIC供电去耦：置于靠近VCC引脚处，吸收IC高速开关引起的瞬态电流噪声，防止电源轨振荡； - USB、HDMI、MIPI等高速接口的电源引脚滤波：在VDDIO或AVDD供电路径中串联使用，抑制接口辐射发射（RE），满足CISPR 32/EN55032等EMC标准； - 汽车电子模块（如ADAS摄像头、车载信息娱乐系统）：凭借高可靠性及AEC-Q200兼容性（需确认具体批次资质），适用于12V/5V/3.3V电源轨噪声抑制； - 工业控制与通信设备：在PLC、基站射频前端、PoE供电电路中，抑制传导干扰，增强系统抗扰度（EMS）。 该器件采用多层结构与优化铁氧体材料，在保持低DCR的同时提供陡峭的阻抗-频率曲线，兼顾大电流承载能力与高频衰减性能，适合空间受限且对EMI敏感的紧凑型电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| DC电阻(DCR) | 550 毫欧最大 |
| 描述 | FERRITE BEAD ARRAY 430 OHM 0804EMI滤波珠子、芯片与阵列 MULTILYR CHP BD 0804 430OHMS 25% |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Taiyo Yuden |
| 产品手册 | http://www.yuden.co.jp/ut/product/category/emisuppression/BK20104S431-T.html |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | EMI滤波珠子、芯片与阵列,Taiyo Yuden BK20104S431-TBK |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BK20104S431-T |
| 不同频率时的阻抗 | 430 欧姆 @ 100MHz |
| 产品 | Ferrite Chip Beads Arrays |
| 产品种类 | EMI滤波珠子、芯片与阵列 |
| 元件数量 | 8 |
| 其它名称 | 587-2665-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Taiyo Yuden |
| 外壳宽度 | 1 mm |
| 外壳长度 | 2 mm |
| 外壳高度 | 0.8 mm |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.039" 宽（2.00mm x 1.00mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | 25 % |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 0804（2010 公制），阵列，8 PC 板 |
| 封装/箱体 | 0804 (2010 metric) |
| 尺寸 | 1 mm W x 2 mm L x 0.8 mm H |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 最大直流电流 | 100 mA |
| 最大直流电阻 | 550 mOhms |
| 标准包装 | 4,000 |
| 测试频率 | 100 MHz |
| 滤波器类型 | 差模 - 4 线阵列 |
| 电容 | - |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 系列 | BK |
| 阻抗 | 430 Ohms |
| 额定电流 | 100mA |
| 高度（最大值） | 0.020"（0.50mm） |
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