Datasheet下载- 型号： BFL4004-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4004-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4004-1E价格参考。ON SemiconductorBFL4004-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFL4004-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFL4004-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4004-1E 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能射频（RF）LDMOS功率晶体管，专为400–470 MHz频段设计。尽管其封装形式类似单个MOSFET，但需注意：它并非通用开关/电源类MOSFET，而是面向窄带、高效率射频功率放大的专用器件。 典型应用场景包括： - 专业无线通信系统：如陆地移动电台（LMR）、对讲机基站、中继台及公共安全通信设备（如TETRA、P25系统）中的末级功率放大器（PA）； - 工业、科学与医疗（ISM）频段设备：在433 MHz等免许可频段下工作的无线数据传输模块、远程监控终端等； - 宽带/窄带射频功放模块：适用于要求高增益（典型18 dB）、高输出功率（连续波下可达4 W，脉冲模式更高）和高漏极效率（>65%）的紧凑型射频前端。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（SOT-1227A），具备优良的热稳定性和抗静电能力（HBM >2 kV），支持50 Ω系统匹配设计，常配合输入/输出匹配网络与驱动级MOSFET协同工作。不适用于DC/DC转换、电机驱动或数字开关等低频功率场景。 简言之，BFL4004-1E是面向400–470 MHz专业无线通信射频功放的核心有源器件，强调线性度、效率与可靠性，非通用型MOSFET。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.3A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFL4004-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 3.25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F-3FS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Tc） |
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