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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFG25AW/X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG25AW/X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG25AW/X,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG25AW/X,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG25AW/X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG25AW/X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG25AW/X,115 是恩智浦（NXP）推出的高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，专为高频、低噪声、高增益应用优化。其典型应用场景包括： 1. VHF/UHF频段射频前端：适用于40–500 MHz频段，常用于FM收音机、无线麦克风、对讲机（PMR）、车载通信等设备的低噪声放大器（LNA）或驱动级放大。 2. 调频接收系统：凭借高增益（fₜ ≈ 7 GHz）、低噪声系数（NF ≈ 1.3 dB @ 100 MHz）和良好线性度，适合FM广播接收链路中的第一级放大，提升灵敏度与信噪比。 3. 窄带无线模块：在ISM频段（如433 MHz、446 MHz）的短距离无线数据传输模块中，用作射频信号预放大或缓冲放大，支持低功耗、小尺寸设计。 4. 消费电子与便携设备：因SOT-323封装体积小、热性能稳定，广泛应用于便携式音频设备、智能遥控器、玩具无线电等对成本、尺寸和功耗敏感的终端产品。 注：该器件为NPN硅外延结构，需注意偏置稳定性与匹配网络设计；不适用于大功率输出级（P1dB约150 mW），主要定位为小信号射频放大。实际应用中建议参考NXP官方数据手册进行阻抗匹配与PCB布局优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 5GHZ 5V SOT343 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFG25AW/X,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 500µA， 1V |
| 供应商器件封装 | 4-SO |
| 其它名称 | 568-6185-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB ~ 2dB @1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-343 反向插针 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6.5mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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