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BF722,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF722,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF722,115价格参考。NXP SemiconductorsBF722,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 250V 100mA 60MHz 1.2W 表面贴装 SC-73。您可以下载BF722,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF722,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BF722,115 型号晶体管属于双极型晶体管(BJT),是一种高性能的小信号晶体管,广泛应用于需要高频和低噪声特性的电路中。以下是其主要应用场景: 1. 射频(RF)放大器 BF722 晶体管具有出色的高频性能,适用于射频信号的放大。它常用于无线通信设备、无线电接收器和发射器中,作为前置放大器或中间频率(IF)放大器的核心元件。 2. 混频器电路 在射频和微波通信系统中,BF722 可用作混频器的核心元件,将输入信号与本地振荡信号混合,生成所需的中频信号。 3. 低噪声放大器(LNA) 由于 BF722 具有较低的噪声系数,它非常适合用作低噪声放大器,特别是在接收机前端,用于放大微弱的射频信号而不会显著增加噪声。 4. 振荡器电路 BF722 的高频特性和稳定性使其成为构建振荡器的理想选择,例如用于产生稳定的射频载波信号或时钟信号。 5. 调制解调电路 在调制解调应用中,BF722 可以用于实现幅度调制(AM)、频率调制(FM)或相位调制(PM)等功能。 6. 音频前置放大器 尽管 BF722 主要针对高频应用,但在某些情况下,它也可以用作高质量的音频前置放大器,提供低失真和高增益性能。 7. 测试与测量设备 在精密测试仪器中,BF722 可用于信号调理电路,确保信号的准确性和稳定性。 8. 工业自动化与控制 在一些工业应用中,BF722 可用于高频信号处理和控制电路,例如传感器信号放大或数据传输链路中的信号增强。 总之,BF722,115 晶体管以其高频特性、低噪声和高增益能力,在射频通信、信号处理和测试测量等领域发挥重要作用。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 250V 50MA SOT223两极晶体管 - BJT TRANS HV TAPE-7 | 
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 | 
| 品牌 | NXP Semiconductors | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BF722,115- | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF722,115 | 
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,30mA | 
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V | 
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT | 
| 供应商器件封装 | SC-73 | 
| 其它名称 | 568-6819-2 | 
| 功率-最大值 | 1.2W | 
| 包装 | 带卷 (TR) | 
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V | 
| 商标 | NXP Semiconductors | 
| 增益带宽产品fT | 60 MHz | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 封装 | Reel | 
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 
| 封装/箱体 | SOT-223 | 
| 工厂包装数量 | 1000 | 
| 晶体管极性 | NPN | 
| 晶体管类型 | NPN | 
| 最大功率耗散 | 1200 mW | 
| 最大工作温度 | + 150 C | 
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A | 
| 最小工作温度 | - 65 C | 
| 标准包装 | 1,000 | 
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html | 
| 电压-集射极击穿(最大值) | 250V | 
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA | 
| 电流-集电极截止(最大值) | 10nA | 
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 at 25 mA at 20 V | 
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 | 
| 配置 | Single | 
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 250 V | 
| 集电极—基极电压VCBO | 250 V | 
| 零件号别名 | BF722 T/R | 
| 频率-跃迁 | 60MHz | 
 
                                
                             
                                
                             
                                
                             
                                
                            