Datasheet下载- 型号： BF1201,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1201,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1201,215价格参考。NXP SemiconductorsBF1201,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1201,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1201,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1201,215 是 NXP USA Inc. 推出的硅N沟道RF MOSFET（射频场效应晶体管），专为高频、低噪声、小信号放大应用优化。其典型工作频率达1 GHz以上，具有低噪声系数（NF ≈ 1.4 dB @ 900 MHz）、高增益（Gₐ ≈ 16 dB @ 900 MHz）及优良的输入/输出匹配特性。 主要应用场景包括： ✅ 蜂窝通信前端：适用于GSM、GPRS、EDGE等900 MHz频段的手机和模块接收链路中的低噪声放大器（LNA）； ✅ 无线基础设施：用于基站收发信机（BTS）或中继器中的射频接收通道预放级； ✅ ISM频段设备：支持868/915 MHz工业、科学与医疗频段的无线传感器、智能电表、LoRa网关等低功耗接收前端； ✅ 汽车电子：车载遥控钥匙（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等短距射频接收电路； ✅ 消费类无线产品：如无绳电话、无线音频传输、RFID读写器等对成本与性能平衡要求较高的中低端RF接收方案。 该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，功耗低（IDSS典型值10 mA，VGS=0 V），无需外部偏置电阻，简化PCB设计，适合高密度、低成本量产。需注意其为小信号器件，不适用于功率放大（PA）或开关应用。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1201,215 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-6151-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 29dB |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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