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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BF1102R,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1102R,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1102R,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1102R,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF1102R,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1102R,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF1102R,115 是恩智浦（NXP Semiconductors）推出的一款硅N沟道RF MOSFET晶体管，专为高频、小信号射频放大应用优化。其典型工作频率范围为30 MHz至1 GHz，具备低噪声系数（NF ≈ 1.8 dB @ 433 MHz）、高增益（GT ≈ 16 dB @ 433 MHz）和良好输入/输出匹配特性（无需外部中和电容），采用SOT-23小型表面贴装封装，适合高密度PCB布局。 主要应用场景包括： • ISM频段无线收发模块：广泛用于433 MHz、868 MHz、915 MHz等免许可频段的短距离无线通信系统，如遥控器、无线传感器节点、智能家居终端； • RF前端接收链路：作为LNA（低噪声放大器）置于天线后级，提升接收灵敏度，适用于AM/FM收音机、无线麦克风、车库门控制器等消费类RF设备； • 窄带窄动态范围接收器：因其高线性度与稳定偏置特性，适用于OOK/ASK调制解调系统； • 工业与汽车电子：如TPMS（胎压监测系统）接收器、无钥匙进入（RKE）模块中的射频信号预放大环节。 需注意：该器件为小信号RF MOSFET，非功率放大用途，不适用于发射末级或高功率驱动；设计时应严格遵循NXP推荐的PCB布局（含接地焊盘、阻抗匹配走线及去耦）以保障射频性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 7V DUAL 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1102R,115 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6142-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 2dB |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 7V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 800MHz |
| 额定电流 | 40mA |
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