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  • 型号: BDP 948 E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BDP 948 E6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PNP AF 45V SOT-223两极晶体管 - BJT PNP Silicon AF Power TRANSISTOR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BDP 948 E6327-

数据手册

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产品型号

BDP 948 E6327

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

500mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

85 @ 500mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

BDP 948 E6327CT

功率-最大值

5W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Infineon Technologies

增益带宽产品fT

100 MHz (Typ)

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-4

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

5000 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

-

系列

BDP948

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

45 V

集电极连续电流

3 A

零件号别名

BDP948E6327HTSA1 SP000010938

频率-跃迁

100MHz

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