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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BC638BU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC638BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC638BU价格参考。Fairchild SemiconductorBC638BU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC638BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC638BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC638BU 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，具有高增益（hFE典型值125–250）、最大集电极电流IC = −1 A、最高集射极电压VCEO = −60 V、功率耗散PD ≈ 350 mW（在Tamb=25℃下）等特性。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关控制：适用于消费电子、家电、工业控制板中的继电器驱动、LED/指示灯开关、小功率电磁阀或蜂鸣器的通断控制； 2. 信号放大与电平转换：在低频模拟电路（如传感器信号调理前端、逻辑电平匹配电路）中作共发射极放大器或反相器； 3. 电源管理辅助电路：用于LDO使能控制、负载开关、过流保护检测回路中的电流检测/关断开关； 4. 便携式设备：得益于SOT-323小尺寸和低功耗特性，广泛用于手机周边、可穿戴设备、IoT模块等空间受限场景。 需注意：BC638BU为PNP型，工作时发射极为高电平有效，设计中应合理配置基极偏置以确保饱和导通或可靠截止。不适用于高频（>10 MHz）或大功率（＞1 W）场合。实际应用中建议参考ON Semiconductor官方数据手册（DS30055/D）进行热设计与驱动能力校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BC638BU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 150mA，2V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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