Datasheet下载- 型号： BAR 63-02W E6433
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAR 63-02W E6433由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAR 63-02W E6433价格参考。InfineonBAR 63-02W E6433封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BAR 63-02W E6433参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAR 63-02W E6433 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 BAR 63-02W E6433 的器件是一款射频二极管（RF Diode），属于二极管中的射频应用分类。 主要应用场景包括： 1. 射频开关电路 BAR 63-02W 常用于高频信号路径中的开关控制，适用于通信设备中的射频信号切换，如天线切换、发射/接收切换等。 2. 射频衰减器与调制电路 该二极管可作为可变电阻元件，用于射频信号的幅度调节或调制，在无线通信系统中实现信号强度控制。 3. 频率合成与混频电路 在射频前端电路中，BAR 63-02W 可用于混频器、频率合成器等模块，辅助实现信号的频率变换。 4. 无线基础设施设备 广泛应用于基站、微波通信设备、中继器等无线基础设施中，支持GSM、WCDMA、LTE等通信标准。 5. 工业与汽车电子应用 由于英飞凌产品通常具备较高的可靠性，该器件也可用于工业通信模块或汽车无线系统中，如车载通信、远程信息处理系统。 该二极管采用SMD封装（如TSSOP），适合高频应用，具有良好的射频性能和稳定性，适用于工作频率高达数GHz的电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bar63series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114fead23dc0a93 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BAR 63-02W E6433 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | 1 欧姆 @ 10mA，100MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 0.3pF @ 5V，1MHz |
| 二极管类型 | PIN - 单 |
| 供应商器件封装 | PG-SCD80-2 |
| 其它名称 | BAR6302WE6433XT |
| 功率耗散（最大值） | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | SC-80 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 50V |
| 电流-最大值 | 100mA |
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