Datasheet下载- 型号： AUIRF7319Q
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRF7319Q由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRF7319Q价格参考。International RectifierAUIRF7319Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AUIRF7319Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRF7319Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AUIRF7319Q 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款晶体管，属于 FET/MOSFET 阵列类别。该型号主要应用于汽车电子和工业领域，其具体应用场景包括： 1. 汽车点火系统：AUIRF7319Q 适用于汽车点火控制模块，能够高效驱动点火线圈，提供高电压脉冲以点燃发动机气缸内的燃料混合物。 2. 电机控制：在汽车和工业电机控制系统中，该 MOSFET 阵列可用于驱动小型直流电机或步进电机，实现精确的速度和位置控制。 3. 开关电源（SMPS）：作为高效的开关元件，AUIRF7319Q 可用于设计车载充电器、DC-DC 转换器等开关电源应用，提供稳定的电压输出。 4. 负载切换：在汽车电子设备中，该器件可用来控制各种负载的通断，例如车灯、雨刷器和加热器等。 5. 继电器替代方案：由于其低导通电阻和快速开关特性，AUIRF7319Q 可用作固态继电器，取代传统机械继电器，从而提高可靠性和寿命。 6. 电池管理：在电动车或混合动力车的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池组的充放电保护和均衡电路。 7. 信号放大与驱动：在需要高电流驱动的应用中，AUIRF7319Q 可用于信号放大和驱动外部负载。 总的来说，AUIRF7319Q 凭借其出色的电气性能和可靠性，特别适合于对温度、振动和电磁干扰有严格要求的汽车和工业环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOICMOSFET AUTO 30V DUAL N P-CH HEXFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRF7319QHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRF7319Q |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 46 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A，4.9A |
| 配置 | Dual |
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