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  • 型号: APTM120UM95FAG
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供APTM120UM95FAG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM120UM95FAG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM120UM95FAG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载APTM120UM95FAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有APTM120UM95FAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

APTM120UM95FAG 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的一款功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的 FET 类别,具体为单个 MOSFET 器件。

 应用场景包括:

1. 电源转换系统:适用于高效率的DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其具备高耐压和低导通电阻特性,适合用于开关电源中的功率开关元件。

2. 电机驱动:可用于工业自动化设备中的电机控制电路,提供高效的开关控制能力,适用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动模块。

3. 工业控制系统:广泛应用于工业电源管理、变频器、伺服驱动器等设备中,作为关键的功率控制元件。

4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统等,用于实现能量的高效转换与管理。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)以及车载充电器(OBC)等场景。

该器件具有较高的热稳定性和可靠性,适合在高温或高负载环境下运行,广泛应用于对功率密度和效率要求较高的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1200V 103A SP6

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Power Products Group

数据手册

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产品图片

产品型号

APTM120UM95FAG

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 15mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

30900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1122nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

114 毫欧 @ 51.5A,10V

供应商器件封装

SP6

功率-最大值

2272W

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

SP6

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

103A

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